總閘極電荷（Qg）
何謂總閘極電荷（Qg）？
"總閘極電荷（Qg）是指為導通（驅動）MOSFET而注入到閘極電極的電荷量。 有時也稱為閘極總電荷。"
單位為庫侖（C），如果總閘極電荷值較大，則導通MOSFET所需的電容充電時間變長，開關損耗增加。數值越小，開關損耗（切換損耗）越小，從而可實現高速開關。
總閘極電荷和導通電阻
如上所述，總閘極電荷的值越小，開關損耗越小。而且，導通電阻值越小，動作時的功耗越小。
然而，總閘極電荷和導通電阻的特性屬於蹺蹺板(Trade Off)關係。
通常，MOSFET的晶片尺寸（表面積）越小，總電荷量越小，但導通電阻值會變大。
換句話說，開關損耗與動作時的功耗之間是相反的關係。
動態輸入特性
該圖為動態輸入（Qg –VGS）的特性例。
在圖中，常溫下的汲極側電源電壓（VDD ） 和汲極電流（ID ）是固定特性， VDD = 300 V ， ID = 30A 時所需的最小電荷量約為60nC。此時的閘源電壓（VGS ） 為 6.5V 。
實際上是在MOSFET的開關在完全導通的狀況下，調整有相反關係的導通電阻值，從而設定閘-源電壓（VGS ） 。
此時，可從圖表讀取設定電壓和總閘極電荷（Qg）（例如， VGS = 10 V 時為85nC ， VGS = 15V 時為 130nC ）。
