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ROHM推出超低導通電阻新世代Dual MOSFET
適用於工控裝置和基地台馬達驅動應用

 

2021年7月1日

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出適用於FA等工控裝置和基地台（冷卻風扇）24V馬達驅動用內建二顆耐壓±40V和±60V的Dual MOSFET*1「QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）」。

近年來，為了支援工控裝置和基地台馬達所使用的24V輸入，驅動元件MOSFET需要考慮到電壓變動所需的餘裕度，所以要求要40V和60V的耐壓能力。此外，在提高馬達效率並縮減體積方面，對於MOSFET出現進一步降低導通電阻和高速切換的需求。
在此背景下，ROHM繼2020年年底發佈新一代Pch MOSFET*2之後，此次Nch再推出了採用新微細製程的第6代40V和60V耐壓MOSFET。因此，使ROHM在支援24V輸入的±40V和±60V耐壓等級擁有了領先業界的Nch+Pch Dual MOSFET產品。此外，為了滿足更廣泛的市場需求，ROHM還研發出+40V和+60V耐壓的「QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）」，產品系列已達12款。

本系列產品採用ROHM全新製程，具備業界超低導通電阻，±40V耐壓產品的導通電阻比一般品降低61%（Dual MOSFET的Pch部分比較），有助進一步降低各裝置的功耗。此外，透過將二顆元件匯集到一個封裝中，可減少安裝面積進而達到裝置小型化，還有助減少元件選擇（Nch和Pch的組合）的時間。
本系列產品已於2021年3月開始暫以每月100萬個的規模投入量產（樣品價格 250日元/個，未稅），也已開始於電商平台銷售。

 

＜新產品特點＞

1.具備業界超低導通電阻

ROHM本次研發的Dual MOSFET產品中，採用全新製程±40V耐壓產品，與一般品相比，Pch部分的導通電阻降低多達61％，Nch部分的導通電阻也降低達39％，有助降低應用裝置功耗。

2.發揮Dual MOSFET專屬特性，有助裝置小型化並縮短設計週期

在一個封裝中內建二顆元件，有助裝置小型化和減少元件選擇時間。在小型化方面，如果將傳統的Nch+Pch Dual MOSFET（SOP8）替換成新產品（TSMT8），安裝面積可減少75%。

 

＜與預設驅動IC結合，提供更優異的馬達驅動解決方案＞

將本產品與具有豐富實績的ROHM單相和三相無刷馬達預設驅動IC相結合，可以進一步達成馬達小型化、低功耗和靜音驅動。並且全面支援以Dual MOSFET系列和預設驅動IC所組成的周邊電路設計，提供滿足客戶需求的馬達驅動解決方案。

組合範例

  • ■QH8MC5（±60V耐壓Nch+Pch Dual MOSFET）和BD63001AMUV（三相無刷馬達預設驅動IC）
  • ■SH8KB6（+40V耐壓Nch+Nch Dual MOSFET）和BM62300MUV（三相無刷馬達預設驅動IC）
  • ■SH8KB6（+40V耐壓Nch+Nch Dual MOSFET）和BD63002AMUV（三相無刷馬達預設驅動IC）等

＜產品系列＞

Nch+Pch Dual MOSFET

產品型號極性
(ch)		VDSS
(V)		ID
(A)		PD
(W)		Ron Max(mΩ)
*VGS=10V		Data SheetSpice
Model		封裝
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SH8MB5		N+P408.5219.4✓✓SOP8
SOP8
(6mm×5mm×1.75mm)
-40-8.516.8
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SH8MC5		606.532✓✓
-60-733
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QH8MB5		404.51.544✓✓TSMT8
TSMT8
(2.8mm×3mm×0.8mm)
-40-541
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QH8MC5		60390✓✓
-60-3.591

Nch+Nch Dual MOSFET

產品型號極性
(ch)		VDSS
(V)		ID
(A)		PD
(W)		Ron Max(mΩ)
*VGS=10V		Data SheetSpice
Model		封裝
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SH8KB7		N+N4013.528.4✓✓SOP8
SOP8
(6mm×5mm×1.75mm)
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SH8KB6		8.519.4✓✓
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SH8KC7		6010.512.4✓✓
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SH8KC6		6.532✓✓
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QH8KB6		4081.517.7✓✓TSMT8
TSMT8
(2.8mm×3mm×0.8mm)
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QH8KB5		4.544✓✓
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QH8KC6		605.530✓✓
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QH8KC5		390✓✓

＜應用範例＞

  • ■FA裝置、機器人等工控裝置和基地台風扇馬達
  • ■大型消費電子裝置用風扇馬達

＜名詞解釋＞

*1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的簡稱）
正式名稱為「金屬－氧化物－半導體場效電晶體」，是FET中最常用的結構。常用來當作切換元件。
*2) Pch MOSFET / Nch MOSFET
Pch MOSFET：透過閘極外加相對於源極為負的電壓而導通的MOSFET。
可用比低於輸入電壓低的電壓驅動，因此電路結構較為簡單。
Nch MOSFET：透過閘極外加相對於源極為正的電壓而導通的MOSFET。
與Pch MOSFET相比，汲極~源極間的導通電阻更小，因此可減少常規損耗。
*3) 導通電阻
使MOSFET動作（ON）時汲極與源極之間的電阻值。該值越小，則動作時的損耗（功率損耗）越少。
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